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PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。
PN8161M该芯片提供了极为全面和性能优异的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。
通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
PN8161M快充芯片封装/订购信息
PN8161M快充芯片管脚定义
管脚名 | 管脚标号 | 管脚功能描述 |
GND | 1 | 地 |
VDD | 2 | 工作电压输入引脚 |
FB | 3 | 反馈输入引脚 |
DMG | 4 | 去磁引脚,通过电阻分压采样输出电压和输入电压 |
SW | 5,6,7,8 | 高压MOSFET漏极脚 |
PN8161M快充芯片特性
■ 内置690V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 最高开关频率125kHz
■ 外围精简,无需启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动,空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压9-38V,适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
■ 过温保护
■ 输出过压保护
■ 输入欠压保护
■ 逐周期过流保护
■ 输出开/短路保护
■ 次级整流管短路保护
■ 过负载保护
典型功率
封装 | 输入电压 | 密闭式条件 |
SOP8 | 90-265VAC | 18W |
PN8161M快充芯片典型电路
应用领域
■ 充电器
■ 适配器
■ 开放式开关电源
PN8161的M版本PN8161M,跟PN8161和PN8161-R1H 脚位一样,但改善了纹波、声音、 温度也更低点,更多PN8161M产品手册,原理图,电源输入输出规格,BOM 表和变压器参数以及安规和 EMI 测试数据等资料可向骊微电子申请。>>