30W pd快充方案PN8165+PN8307H(A)
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芯朋微30W PD快充方案:PN8165+PN8307H(A),搭配行业最精简的SOT23-3 Boost芯片AP2080,轻松实现输出功率20W向30W的快速升级迭代。并且与20W PD快充产品PN8161+PN8307全兼容!
一、方案特征
■ 小尺寸设计:38mm(L)X36mm(W )X18mm(H)
■ 输出规格 5V3A,9V3A,15V2A,20V1.5A,3.3-11V/3A
■ 满足CoC V5 Tier2 能效规范
■ 待机功耗小于75mW
■ 最大输出电压纹波小于120mVP_P
■ 支持PD3.0协议
■ 整个方案包含:PN8165,PN8307H(A)和AP2080
二、封装及脚位配置
PN8165主要特性
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 最高开关频率125kHz
■ 外围精简,无需启动电阻及CS检测电阻
■ 内置高压启动,空载待机功耗<50mW
■ 改善EM I的频率调制技术优异
■ 全面的保护功能(OVP,UVP,OTP,CS短路保护等)
PN8307H主要特性
■ 集成MOS及SR控制于一体
■ DFN 5x6封装
■ 适应多工作模式:QR/DCM
■ SRMOS导通阻抗:100V/10m
AP2080主要特性
■ 应用于VDD辅助供电
■ 具有Boost功能,可实现:低VDD且宽输出的需求,有利于能效设计
三、DEMO 实物图
四、方案典型应用图
五、待机功耗
六、输出规格及效率
七、方案亮点
1、内置高压启动和电流采样的高精简主控:PN8165集成650V0.55Ω智能MOSFET,无需外部启动电阻和CS电阻,方便布线,并提升市电低压下的转换效率。
2、100V全集成同步整流:PN8307H(A)内置100V/10mΩ智能MOSFET,自适应死区控制提高MOSFET Rdson利用率,显著降低温升,超高性价比。
3、兆赫兹SOT23-3升压供电:AP2080采用兆赫兹开关频率的COT控制技术,将储能电感体积降至0805封装,任何工况下PN8165供电范围控制在11~35V,显著提升15~20V输出电压下的转换效率。
4、EMC性能卓越:采用QR控制方式+自适应抖频+智能功率器件等组合创新技术,改善系统EMC性能,传导辐射裕量轻松大于6dB。
5、保护功能丰富:方案具有市电欠压保护、输出过压保护、原副边防直通保护、过载保护、过温保护等,为充电器安全运行保驾护航。
6、全系列脚位兼容:PN816x/PN8307x全系列芯片脚位相同,SOP8/PDFN两种封装灵活选择,便于电源产品系列化设计及安规认证。
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