ag真人平台积分阿里巴巴店铺 ag真人平台积分关注骊微 电机驱动芯片收藏骊微 欢迎进入电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管、桥堆等电子元器件代理商--骊微电子官网
高级搜索

搜索一

搜索二

充电管理IC方案
当前位置: 电源ic > 新闻中心 > 公司新闻 > 常用IGBT耐压600V绝缘栅双极型晶体管参数

常用IGBT耐压600V绝缘栅双极型晶体管参数

字号:T|T
文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2023-03-28 13:34
  IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高频率、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”,士兰微生产的耐压600V IGBT产品,覆盖了从5A至50A的电流规格,在电焊机、变频器和IPM领域已经得到了大规模应用,获得了业内广泛好评。
  
  SGTP5T60SD1D/F/S IGBT绝缘栅双极型晶体管,5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A,有TO252、TO263、TO220F多种封装,可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
  
  SGT15T60SD1T/F/S 15A、600V绝缘栅双极型晶体管,饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=15A,有T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-263-2L多种封装,具有较低的导通损耗和开关损耗。
  
  SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 绝缘栅双极型晶体管,集电极-射极电压600V,集电极电流(Tc=100°)20A,具有较低的饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=20A,有T0-220F-3L、T0-263-2L、T0-247-3L、T0-220FD-3L、T0-3P、T0-220-3L多种封装。
  
  SGT20T60SDM1P7 20、600V绝缘栅双极型晶体管,饱和压降VCE(sat)(典型)=1.7V@IC=20A,采用T0-247-3L封装,具有导通损耗、快开关速度、高输入阻抗等特点。
  
  SGT30T60SD1F 绝缘栅双极型晶体管,集电极-射极电压600V,集电极电流(Tc=100°)30A,具有较低的饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A,有T0-220F-3L、TO-220FD-3L两种封装。
  
  SGT30T60SDM1P7 30A、600V绝缘栅双极型晶体管,饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A,采用T0-2473L封装。
  
  SGTP50V60FD2PF绝缘栅双极型晶体管,集电极-射极电压600V,集电极电流(Tc=100°)50A,饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=50A,采用TO-3PF封装,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
  
  常用IGBT耐压600V系列有TO252、TO263、TO220F、TO247、TO220FD、TO3PF、TO247N等多种封装,满足不同市场和应用的需求提供品质稳定和优异性能的产品,同时能够控制成本,保证供货,从而能让产品在价格、供货以及技术支持方面有着持续的优势,更多600V-1350V IGBT绝缘栅双极型晶体管产品手册、参数及方案应用资料请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
产品中心 关于骊微 联系ag真人平台积分